RJK1002DPP-A0#T2

Name: Renesas Electronics RJK1002DPP-A0#T2
Brand: Renesas Electronics
SKU: 968-RJK1002DPP-A0#T2
Price: 4.7 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

968-RJK1002DPP-A0#T2

Herst.- Nr.:

RJK1002DPP-A0#T2

Herst.:

Renesas Electronics

Beschreibung:

MOSFETs POWER TRS1 LV-MOS TO220FP MOS TRENCH D12

Datenblatt:

RJK1002DPP-A0#T2 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	Renesas Electronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220FP-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	70 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	94 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	30 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tray
Marke:	Renesas Electronics
Abfallzeit:	13 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	135 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	13 ns
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	80 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	40 ns