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SCS208AGC17

Name: ROHM Semiconductor SCS208AGC17
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCS208AGC17
Price: 4.19 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-SCS208AGC17

Herst.- Nr.:

SCS208AGC17

Beschreibung:

Schottky Dioden & Gleichrichter SILICON CARBIDE

Lebenszyklus:

Neues Produkt: Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

SCS208AGC17 Datenblatt

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	3,52 €	35,20 €
	2,84 €	284,00 €
	2,75 €	687,50 €
	2,52 €	1.260,00 €
	2,16 €	2.160,00 €
	2,04 €	5.100,00 €

Technische Daten

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	Schottky Dioden & Gleichrichter
RoHS:	Details
Produkt:	Schottky Silicon Carbide Diodes
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220ACG-2
Konfiguration:	Single
Technologie:	SiC
If - Durchlassstrom:	8 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	650 V
Vf - Durchlassspannung:	1.35 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	30 A
Ir - Sperrstrom:	1.6 uA
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tube
Marke:	ROHM Semiconductor
Pd - Verlustleistung:	68 W
Produkt-Typ:	Schottky Diodes & Rectifiers
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung:	650 VDC
Artikel # Aliases:	SCS208AG

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Produktkonformität

TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

Die Siliziumkarbid-Leistungselemente von ROHM Semiconductor liefern eine 10-fache dielektrische Durchbruchfeldstärke, eine 3x größere Bandlücke, und die 3-fache Wärmeleitfähigkeit im Vergleich zu konventionellen Silizium-Lösungen. Dies ermöglicht geringere Schaltverluste, einen geringeren ON-Widerstand, und eine höhere Betriebstemperatur. Das Ergebnis sind eine geringere Verlustleistung und kleinere Module. Außerdem benötigen Designer weniger Bauteile, was die Komplexität der Entwicklung weiter reduziert.

TO-220ACG SiC-Schottky-Barriere-Dioden

Die TO-220ACG Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Barrier-Dioden (SBD) von ROHM Semiconductor haben einen Sperrspannungsbereich von 650 V bis 1.200 V und einen kontinuierlichen Sperrstrombereich von 1,2 µA bis 20,0 µA. Die SiC-Technologie ermöglicht es diesen Bauelementen, eine niedrige kapazitive Ladung (Q_C) beizubehalten, was die Schaltverluste verringert und gleichzeitig einen schnellen Schaltbetrieb ermöglicht. Darüber hinaus behalten SiC-Bauelemente im Gegensatz zu den Si-basierten Fast-Recovery-Dioden, bei denen die Rückwärtserholungszeit mit der Temperatur ansteigt, konstante Eigenschaften bei, was zu einer besseren Leistung führt.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

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