Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

RQ6P020ATTCR

Name: ROHM Semiconductor RQ6P020ATTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ6P020ATTCR
Price: 0.78 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RQ6P020ATTCR

Herst.- Nr.:

RQ6P020ATTCR

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -2.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

Datenblatt:

RQ6P020ATTCR Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu ROHM Semiconductor RQ6P020ATTCR

Auf Lager: 4.215

Lagerbestand:: 4.215 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 16 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	0,783 €	0,78 €
	0,557 €	5,57 €
	0,373 €	37,30 €
	0,288 €	144,00 €
	0,261 €	261,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,225 €	675,00 €
	0,208 €	1.248,00 €
	0,195 €	1.755,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-457T-6
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	220 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	24 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.25 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	30 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	3.4 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	11 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	83 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8.9 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETs der 4. Generation

Die Leistungs-MOSFETs der 4. Generation mit N-Kanal aus Siliziumcarbid (SiC) von ROHM Semiconductor bieten niedrige On-Widerstände und eine verbesserte Kurzschlusstoleranz. Die MOSFETs der 4. Generation aus SiC lassen sich einfach parallel schalten und einfach ansteuern. Die MOSFETs zeichnen sich durch schnelle Schaltgeschwindigkeiten/Sperrverzögerung, geringe Schaltverluste und eine maximale Betriebstemperatur von +175°C aus. Die N-Kanal SiC Leistungs-MOSFETs der 4. Generation von ROHM unterstützen eine 15 V Gate-Source-Spannung, die zur Energieeinsparung des Bauelements beiträgt.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.