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RGW50TK65DGVC11

ROHM Semiconductor
755-RGW50TK65DGVC11

RGW50TK65DGVC11

Herst.:

Beschreibung:
IGBT-Transistoren High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT

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2,77 € 2.825,40 €
Produktattribut Attributwert
ROHM Semiconductor
Produktkategorie: IGBT-Transistoren
RoHS:  Details
Si
TO-3PFM-3
Through Hole
Single
650 V
1.9 V
- 30 V, 30 V
30 A
67 W
- 40 C
+ 175 C
Tube
Marke: ROHM Semiconductor
Kollektorgleichstrom Ic max.: 18 A
Kriechstrom Gate-Emitter: 200 nA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: IGBTs
Artikel # Aliases: RGW50TK65D
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290095
ECCN:
EAR99

RGW 650-V-Field-Stop-Trench-IGBTs

Die RGW 650-V-Field-Stop-Trench-IGBTs von ROHM Semiconductor bieten eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung in einem kleinen Gehäuse. Die RGW-IGBTs zeichnen sich durch hohe Schaltgeschwindigkeiten, niedrige Schaltverluste und eine eingebaute, sehr schnelle und weiche Rückspeisung FRD aus. Die ROHM RGW 650-V-Field-Stop-Trench-IGBTs sind ideal für Solar-Wechselrichter, USV, Schweiß-, IH- und PFC-Anwendungen.

Field Stop Trench IGBTs

ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.