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R6520KNXC7G

Name: ROHM Semiconductor R6520KNXC7G
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R6520KNXC7G
Price: 4.39 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-R6520KNXC7G

Herst.- Nr.:

R6520KNXC7G

Beschreibung:

MOSFET 650V POWER MOSFET

Lebenszyklus:

Neues Produkt: Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

R6520KNXC7G Datenblatt

ECAD Model:

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	2,92 €	730,00 €
	2,64 €	1.320,00 €
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	2,13 €	5.325,00 €

Technische Daten

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFET
RoHS:	Details
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220FM-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	20 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	205 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V, - 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	40 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	68 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	30 ns
Produkt-Typ:	MOSFET
Anstiegszeit:	50 ns
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	MOSFETs
Transistorart:	Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	75 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	30 ns
Artikel # Aliases:	R6520KNX

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Produktkonformität

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

Die R60/R65 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor bieten einen Einkanal-Ausgang mit 600 V oder 650 V drain-source-Spannung in einem TO-220FM-3-Gehäuse. Die R60/R65 MOSFETs verfügen über eine Betriebstemperatur von -55 ° °C bis +150 ° °C und Verlustleistungsoptionen von 40 W, 46 W, 48 W, 53 W, 68 W, 74 W oder 86 W. Die R60/R65 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs eignen sich hervorragend für Schaltapplikationen.

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