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R6520KNX3C16

Name: ROHM Semiconductor R6520KNX3C16
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R6520KNX3C16
Price: 4.05 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-R6520KNX3C16

Herst.- Nr.:

R6520KNX3C16

Beschreibung:

MOSFET 650V 20A, TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET

Datenblatt:

R6520KNX3C16 Datenblatt

ECAD Model:

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	3,40 €	34,00 €
	3,29 €	164,50 €
	2,74 €	274,00 €
	2,66 €	665,00 €
	2,44 €	1.220,00 €
	1,96 €	1.960,00 €

Technische Daten

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFET
RoHS:	Details
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220AB-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	20 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	205 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	40 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	220 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	30 ns
Produkt-Typ:	MOSFET
Anstiegszeit:	50 ns
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	MOSFETs
Regelabschaltverzögerungszeit:	75 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	30 ns
Artikel # Aliases:	R6520KNX3

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Produktkonformität

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

ROHM Semiconductor R60xx PrestoMOS™ High-Voltage MOSFETs incorporate fast recovery diodes to optimize board space while providing 600V in five package types. These third-generation metal-oxide semiconductor field-effect transistors are ideal for power supplies with integrated inverters. The devices' high-speed switching combined with an internal diode with high Reverse Recovery Time (t_rr) characteristics optimize efficiency and lower loss while contributing to smaller designs.

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