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R6515KNX3C16

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755-R6515KNX3C16

R6515KNX3C16

Herst.:

Beschreibung:
MOSFET 650V 15A, TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET

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Menge Stückpreis
Erw. Preis
1 3,69 € 3,69 €
10 3,33 € 33,30 €
50 3,14 € 157,00 €
100 2,72 € 272,00 €
500 2,31 € 1.155,00 €
1.000 1,95 € 1.950,00 €
2.500 1,83 € 4.575,00 €
5.000 1,77 € 8.850,00 €
Produktattribut Attributwert
ROHM Semiconductor
MOSFET
RoHS:  Details
Si
Through Hole
TO-220AB-3
N-Channel
1 Channel
650 V
15 A
315 mOhms
- 20 V, + 20 V
5 V
27.5 nC
- 55 C
+ 150 C
161 W
Enhancement
Tube
Marke: ROHM Semiconductor
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 20 ns
Produkt-Typ: MOSFET
Anstiegszeit: 35 ns
Verpackung ab Werk: 50
Unterkategorie: MOSFETs
Regelabschaltverzögerungszeit: 50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 25 ns
Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290095
ECCN:
EAR99

R60xx PrestoMOS™ High-Voltage MOSFETs

ROHM Semiconductor R60xx PrestoMOS™ High-Voltage MOSFETs incorporate fast recovery diodes to optimize board space while providing 600V in five package types. These third-generation metal-oxide semiconductor field-effect transistors are ideal for power supplies with integrated inverters. The devices' high-speed switching combined with an internal diode with high Reverse Recovery Time (trr) characteristics optimize efficiency and lower loss while contributing to smaller designs.

Bild Beschreibung
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