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R6020ENXC7G

Name: ROHM Semiconductor R6020ENXC7G
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R6020ENXC7G
Price: 4.78 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-R6020ENXC7G

Herst.- Nr.:

R6020ENXC7G

Beschreibung:

MOSFET 600V POWER MOSFET

Lebenszyklus:

Neues Produkt: Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

R6020ENXC7G Datenblatt

ECAD Model:

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	4,02 €	40,20 €
	3,93 €	196,50 €
	3,24 €	324,00 €
	3,18 €	795,00 €
	2,88 €	1.440,00 €
	2,46 €	2.460,00 €
	2,38 €	5.950,00 €

Technische Daten

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFET
RoHS:	Details
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220FM-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	20 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	196 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V, - 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	60 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 155 C
Pd - Verlustleistung:	68 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	67 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	5 S
Produkt-Typ:	MOSFET
Anstiegszeit:	53 ns
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	MOSFETs
Transistorart:	Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	150 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	35 ns
Artikel # Aliases:	R6020ENX

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Produktkonformität

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

Die R60/R65 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor bieten einen Einkanal-Ausgang mit 600 V oder 650 V drain-source-Spannung in einem TO-220FM-3-Gehäuse. Die R60/R65 MOSFETs verfügen über eine Betriebstemperatur von -55 ° °C bis +150 ° °C und Verlustleistungsoptionen von 40 W, 46 W, 48 W, 53 W, 68 W, 74 W oder 86 W. Die R60/R65 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs eignen sich hervorragend für Schaltapplikationen.

Field Stop Trench IGBTs

ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.

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