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R5205PND3FRATL

ROHM Semiconductor
755-R5205PND3FRATL

R5205PND3FRATL

Herst.:

Beschreibung:
MOSFET MOSFET

Lebenszyklus:
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Cut-Tape
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Preis (EUR)

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1,70 € 17,00 €
1,35 € 135,00 €
1,25 € 312,50 €
1,13 € 565,00 €
1,09 € 1.090,00 €
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Produktattribut Attributwert
ROHM Semiconductor
Produktkategorie: MOSFET
RoHS:  Details
Si
SMD/SMT
DPAK-3
N-Channel
1 Channel
525 V
5 A
1.6 Ohms
- 30 V, + 30 V
4.5 V
10.8 nC
- 55 C
+ 150 C
65 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: ROHM Semiconductor
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 20 ns
Produkt-Typ: MOSFET
Anstiegszeit: 25 ns
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: MOSFETs
Regelabschaltverzögerungszeit: 40 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 20 ns
Artikel # Aliases: R5205PND3FRA
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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290095
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

Bild Beschreibung
Texas Instruments OPA388QDBVRQ1
Operationsverstärker Automotive qualified, wide bandwidth, zero drift, zero cross over, precision amplifier 5-SOT-23 -40 to 125
Vishay TNPU0805500RAZEN00
Dünnfilmwiderstände - SMD 1/8W 500ohms 0.05% 5ppm
Infineon BSS127IXTSA1
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
Analog Devices Inc. AD8675ARZ
Präzisionsverstärker 2.5nV R-R out Precision BP AMP
IXYS IXTA32P20T
MOSFET TenchP Power MOSFET
Renesas Electronics ISL60002BIH326Z-TK
Spannungsreferenzen PBFREE PRECISION 2 6V LW V FGA"F 1 0MV
Samsung Electro-Mechanics CL31A106MBHNNNE
Kondensator aus mehreren Keramikschichten MLCC - SMD/SMT 10uF+/-20% 50V X5R 3 1206
TDK C2012X5R1H225K125AB
Kondensator aus mehreren Keramikschichten MLCC - SMD/SMT 0805 50V 2.2uF X5R 10% T: 1.25mm
Ohmite PCS2512DR1000ET
Strommesswiderstände - SMD 2W 0.100 OHMS 0.5%
Analog Devices Inc. ADG701LBRJZ-REEL7
Analogschalter IC Low Voltage SPDT IC with Low Leakage