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TGS2353-2-SM

Name: Qorvo TGS2353-2-SM
Brand: Qorvo
SKU: 772-TGS2353-2-SM
Price: 186.66 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

772-TGS2353-2-SM

Herst.- Nr.:

TGS2353-2-SM

Herst.:

Qorvo

Beschreibung:

HF-Schalt-ICs .5-18GHz SPDT 10W IL <1.5dB

Datenblatt:

TGS2353-2-SM Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	186,66 €	186,66 €
	126,58 €	3.164,50 €
	100,14 €	10.014,00 €
250	Kostenvoranschlag

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Hersteller:	Qorvo
Produktkategorie:	HF-Schalt-ICs
RoHS:
Schalter-Konfiguration:	SPDT
Mindestfrequenz:	500 MHz
Maximalfrequenz:	18 GHz
Einfügungsverlust:	1.5 dB
Off-Isolierung - Typ.:	30 dB
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFN-22
Technologie:	Si
Serie:	TGS2353
Verpackung:	Bulk
Marke:	Qorvo
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	RF Switch ICs
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Wireless & RF Integrated Circuits
Artikel # Aliases:	TGS2353 1075676
Gewicht pro Stück:	7,210 g

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GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

GaN Switches

Qorvo Gallium Nitride (GaN) Switches are suited for RF Switching applications and feature high breakdown voltages combined with the low on-resistance and off-state capacitance. This enables a dramatic increases in power handling. GaAs FET switches are widely used in the RF industry, and typically used for power levels on the order of a few watts or less. GaN FETs are able to use the same circuit architectures to handle power levels on the order of tens of watts.