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PSMN2R0-30BL,118

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PSMN2R0-30BL,118

Herst.- Nr.:

PSMN2R0-30BL,118

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs Std N-chanMOSFET

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

PSMN2R0-30BL,118 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Versandmeldung:

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Verfügbarkeit

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Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	934066341118
Gewicht pro Stück:	4 g

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Datenblatt

PSMN2R0-30BL,118 Datenblatt (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Nexperia PSMNxxx N-Channel MOSFETs - EXPANSION - INACTIVE

Nexperia PSMNxxx N-Channel MOSFETs have been expanded by adding additional drain current (I_D), drain-source on-state resistance (R_DS(on)), gate-drain charge (Q_GD), and total power dissipation (P_tot) ratings. All of these packages are qualified with a junction temperature up to 175ºC. They are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment. They are highly efficient due to low switching and conduction losses and are suitable for standard level gate drive sources. Some of these are optimized for 4.5V gate drive utilizing NextPower Superjunction technology and have ultra-low Q_G, Q_GD and Q_OSS for high system efficiencies at low and high loads. Typical applications for these devices include dc-to-dc converters, load switching, motor control, synchronous buck regulators, and server power supplies.
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Nexperia PSMNxxx N-Channel MOSFETs include standard and logic level, regular and enhancement mode, N-Channel MOSFETs in LFPAK, I2PAK, TO-220, and DFN3333-8 packages qualified to 150°C or 175°C. These Nexperia PSMNxxx N-Channel MOSFETs are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment. The Nexperia logic level enhancement mode N-Channel MOSFETs in LFPAK packages feature ultra low Q_G, Q_GD, and Q_OSS for high system efficiencies at low and high loads, and ultra low R_DSon and low parasitic inductance. They are also optimized for 4.5V gate drive utilising NextPower Superjunction technology. The Nexperia standard and logic level N-Channel MOSFETs in I2PAK and TO-220 packages feature high efficiency due to low switching and conduction losses and are suitable for standard or logic level gate drive sources.

View the entire PSMNxxx Series N-Channel MOSFETs