Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

BC53PAST-QX

Name: Nexperia BC53PAST-QX
Brand: Nexperia
SKU: 771-BC53PAST-QX
Price: 0.33 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-BC53PAST-QX

Herst.- Nr.:

BC53PAST-QX

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT BC53PAST-Q/SOT1061/HUSON3

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

BC53PAST-QX Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Nexperia BC53PAST-QX

Auf Lager: 250

Lagerbestand:: 250 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 8 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,335 €	0,34 €
	0,206 €	2,06 €
	0,196 €	9,80 €
	0,13 €	13,00 €
	0,096 €	48,00 €
	0,086 €	86,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,071 €	213,00 €
	0,065 €	390,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-1061D-3
Transistorpolung:	PNP
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	2 A
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	80 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	100 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	5 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	500 mV
Pd - Verlustleistung:	1 W
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	145 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Kollektorgleichstrom:	1 A
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	63
DC Stromverstärkung hFE max.:	250
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	934667651115

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

BC53PAST-QX Datenblatt (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:: 8541210000
USHTS:: 8541290095

BC5xPAS-Q 1 A PNP-Transistoren für mittlere Leistungen

Nexperia BC5xPAS-Q 1 A Medium Power PNP-Transistoren sind in einem ultradünnen DFN2020D-3 (SOT1061D) kleinen Leadless-SMD-Plastikgehäuse (Surface-Mounted Device) vergossen. Diese Nxperia Transistoren sind für hohe Kollektorströme ausgelegt, wobei der BC51PAS-Q eine Kollektor-Emitter-Spannung (V_CEO) von -45 V, der BC52PAS-Q bei -60 V und der BC53PAST-Q bei -80 V bietet. Die Bausteine verfügen über freiliegende Kühlkörper für hervorragende thermische und elektrische Leitfähigkeit und eignen sich für lineare Spannungsregler, batteriebetriebene Geräte, MOSFET-Treiber, High-Side-Schalter, Power Management und Verstärker. Darüber hinaus sind diese Transistoren AEC-Q101-normenkonform, was Zuverlässigkeit in Fahrzeuganwendungen gewährleistet. Das kompakte Design reduziert den Platzbedarf auf der Leiterplatte und unterstützt die automatische optische Inspektion (AOI) von Lötstellen.

BJT Bipolartransistoren im DFN-Gehäuse

Nexperia BJT DFN-Gehäuse Leistungsbipolartransistoren bieten einen kleinen Formfaktor, der etwa 75 % weniger Platinenfläche benötigt und mehr Designflexibilität ermöglicht. Diese bipolaren Transistoren verfügen über eine reduzierte parasitäre Induktivität und Kapazität mit einem verbesserten, niedrigen thermischen Widerstand, wodurch eine höhere Zuverlässigkeit ermöglicht wird. Die BJT-Komponenten eignen sich hervorragend für Applikationen, bei denen der Platz begrenzt ist. Zu den Applikationen gehören mobile Geräte, Wearables, Automotive-Sensoren und Kameramodule.