Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

MRFX1K80NR5

Name: NXP MRFX1K80NR5
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-MRFX1K80NR5
Price: 331.34 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-MRFX1K80NR5

Herst.- Nr.:

MRFX1K80NR5

Herst.:

NXP Semiconductors

Beschreibung:

MOSFET HF-Transistoren 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz

Datenblatt:

MRFX1K80NR5 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu NXP Semiconductors MRFX1K80NR5

Auf Lager: 21

Lagerbestand:: 21 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 10 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	331,34 €	331,34 €
	285,97 €	2.859,70 €
	274,65 €	6.866,25 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 50)
	249,59 €	12.479,50 €
100	Kostenvoranschlag

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	NXP
Produktkategorie:	MOSFET HF-Transistoren
RoHS:
Transistorpolung:	N-Channel
Technologie:	Si
Id - Drain-Gleichstrom:	43 A
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	179 V
Betriebsfrequenz:	1.8 MHz to 400 MHz
Verstärkung:	24.4 dB
Ausgangsleistung:	1.8 kW
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	OM-1230-4
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	NXP Semiconductors
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	44.7 S
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Pd - Verlustleistung:	3.333 kW
Produkt-Typ:	RF MOSFET Transistors
Serie:	MRFX1K80N
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	MOSFETs
Typ:	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source-Spannung:	+ 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.9 V
Artikel # Aliases:	935362678578
Gewicht pro Stück:	5,282 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

MRFX1K80NR5 Datenblatt (PDF)

Declaration of Compliance - RoHS Declaration (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MRFX-Baureihe 65V-LDMOS-Transistoren

Die 65V-LDMOS-Leistungstransistoren der MRFX-Baureihe von NXP Semiconductors bieten eine hohe HF-Ausgangsleistung mit überlegener Robustheit und thermischer Leistungsfähigkeit. Diese Transistoren verfügen über eine hohe Leistungsdichte, geringere Stromverluste, einen hohen Wirkungsgrad, einfachere Anpassung an 50 Ω, eine große Sicherheitsmarge und eine geringfügige magnetische Strahlung. Die höhere Leistungsdichte, der niedrige Strom und die große Sicherheitsmarge ermöglicht stärker integrierte Industrie 4.0-Systeme mit hoher Zuverlässigkeit und besserem Energiemanagement.