MRFE6VP6300HR5

NXP Semiconductors
841-MRFE6VP6300HR5
MRFE6VP6300HR5

Herst.:

Beschreibung:
MOSFET HF-Transistoren VHV6 300W50VISM NI780H-4

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 527

Lagerbestand:
527 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
10 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
-,-- €
Erw. Preis:
-,-- €
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 50)
Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
466,46 € 466,46 €
406,63 € 4.066,30 €
401,47 € 10.036,75 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 50)
382,69 € 19.134,50 €
100 Kostenvoranschlag
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
NXP
Produktkategorie: MOSFET HF-Transistoren
RoHS:  
N-Channel
Si
130 V
1.8 MHz to 600 MHz
26.5 dB
300 W
+ 150 C
Screw Mount
NI-780-4
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: NXP Semiconductors
Anzahl der Kanäle: 2 Channel
Pd - Verlustleistung: 1.05 kW
Produkt-Typ: RF MOSFET Transistors
Serie: MRFE6VP6300H
Verpackung ab Werk: 50
Unterkategorie: MOSFETs
Typ: RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source-Spannung: + 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: 2.7 V
Artikel # Aliases: 935317343178
Gewicht pro Stück: 6,396 g
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

HF-LDMOS-Leistungstransistoren MRFE6VP6 mit 50V

Die HF-LDMOS-Leistungstransistoren MRFE6VP6 und MRFE6VP6300H mit 50V von Freescale Semiconductor sind für Anwendungen mit hohem Stehwellenverhältnis (VSWR) konzipiert. Der Transistor MRFE6VP61K25H bietet eine Ausgangsleistung von 1250W, womit er sich hervorragend für robuste Anwendungen eignet. Die verbesserte Robustheit der HF-LDMOS-Leistungstransistoren MRFE6VP61K25H von Freescale Semiconductor ermöglicht es Entwicklern, auf externe Schaltungen zu verzichten, die zuvor erforderlich waren, um die Gesamtkosten für das System zu reduzieren und die Leistungsfähigkeit zu verbessern. Der Baustein MRFE6VP61K25H unterstützt raue Umgebungen in höchst fehlangepassten Anwendungen wie Plasmageneratoren, CO2-Laser und MRT-Leistungsverstärker. Die HF-LDMOS-Leistungstransistoren mit 50V MRFE6VP6300H von Freescale wurden für Anwendungen mit Betriebsfrequenzen zwischen 1,8 und 600MHz entwickelt und für die Verwendung bei stark fehlangepasster Impedanz optimiert, wie sie in CO2-Lasern, Plasmageneratoren und MRT-Scannern zu finden ist. Der Baustein MRFE6VP6300H ist der erste LDMOS-Transistor mit 50V, der eine volle Ausgangsleistung von 300W CW für eine Last mit einem Stehwellenverhältnis (VSWR) von 65:1 bereitstellt.
Weitere Informationen