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MSCSM120AM042CT6LIAG

Name: Microchip MSCSM120AM042CT6LIAG
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-M120AM042CT6LIAG
Price: 590.86 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

494-M120AM042CT6LIAG

Herst.- Nr.:

MSCSM120AM042CT6LIAG

Herst.:

Microchip Technology

Beschreibung:

Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI

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Datenblatt:

MSCSM120AM042CT6LIAG Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Microchip
Produktkategorie:	Diskrete Halbleitermodule
RoHS:
Produkt:	MOSFET-SiC SBD Modules
Typ:	MOSFET / SiC SBD
Technologie:	SiC
Vf - Durchlassspannung:	1.5 V
Vr - Sperrspannung:	1.2 kV
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 25 V
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SP6
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Marke:	Microchip Technology
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	67 ns
Id - Drain-Gleichstrom:	495 A
Pd - Verlustleistung:	2.031 kW
Produkt-Typ:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5.2 mOhms
Anstiegszeit:	55 ns
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Discrete Semiconductor Modules
Transistorpolung:	N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	166 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	56 ns
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.8 V

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CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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