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MSC017SMA120B4

Name: Microchip MSC017SMA120B4
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC017SMA120B4
Price: 41.24 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

579-MSC017SMA120B4

Herst.- Nr.:

MSC017SMA120B4

Herst.:

Microchip Technology

Beschreibung:

SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247-4

Datenblatt:

MSC017SMA120B4 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Microchip
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	113 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	17.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.7 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	455 W
Marke:	Microchip Technology
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	18 ns
Verpackung:	Tube
Produkt:	SiC MOSFET Modules
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	13 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	51 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	29 ns

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PCN

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MSC017SMA120x n-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Microchip Technology MSC017SMA120x n-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs bieten eine höhere Leistung im Vergleich zu Silizium-MOSFET- und Silizium-IGBT-Lösungen und senken gleichzeitig die Gesamtkosten in Hochspannungsapplikationen. Die MSC017SMA120x SiC-MOSFETs von Microchip bieten einen hohen Wirkungsgrad, um ein leichteres, kompakteres System mit verbesserten thermischen Fähigkeiten und niedrigeren Schaltverlusten zu ermöglichen.