2N3507

Microchip Technology
494-2N3507
2N3507

Herst.:

Beschreibung:
Bipolartransistoren - BJT 50V 3A 1W Power BJT THT

Datenblatt:
ECAD Model:
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Microchip
Produktkategorie: Bipolartransistoren - BJT
RoHS: N
Si
Through Hole
TO-39-3
NPN
Single
3 A
50 V
80 V
5 V
500 mV
1 W
- 65 C
+ 200 C
Bulk
Marke: Microchip Technology
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min: 35 at 500 mA, 1 V
DC Stromverstärkung hFE max.: 175 at 500 mA, 1 V
Produkt-Typ: BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk: 1
Unterkategorie: Transistors
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

PCN

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TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

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