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IRFP3006PBFXKMA1

Name: Infineon IRFP3006PBFXKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IRFP3006PBFXKMA1
Price: 2.66 EUR
Availability: OutOfStock

Mouser-Nr.:

726-IRFP3006PBFXKMA1

Herst.- Nr.:

IRFP3006PBFXKMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs IR FET UP TO 60V

Datenblatt:

IRFP3006PBFXKMA1 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247AC-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	195 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	200 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	375 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	Not Available
Abfallzeit:	189 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	182 ns
Verpackung ab Werk:	400
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	118 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	16 ns
Artikel # Aliases:	IRFP3006PBFXKMA1 SP005732687

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Datenblatt

IRFP3006PBFXKMA1 Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

StrongIRFET™ Power MOSFETs

Infineon StrongIRFET™ Power MOSFET family is optimized for low R_DS(on) and high current capability. These devices are ideal for low-frequency applications requiring performance and ruggedness. These MOSFETs have the highest current-carrying capability in the industry. This feature leads to increased robustness and reliability for high power density applications which require high efficiency and reliability.