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FF2000UXTR23T2M1PBPSA1

Name: Infineon FF2000UXTR23T2M1PBPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FF2000UXTR23T2P1
Price: 2549.13 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-FF2000UXTR23T2P1

Herst.- Nr.:

FF2000UXTR23T2M1PBPSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFET-Module XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET and NTC /

Lebenszyklus:

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Datenblatt:

FF2000UXTR23T2M1PBPSA1 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Serie:	XHP 2
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Verpackung ab Werk:	4
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	CoolSiC
Artikel # Aliases:	FF2000UXTR23T2M1P SP006182330

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Datenblatt

FF2000UXTR23T2M1PBPSA1 Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET-Halbbrückemodule

Die MOSFET-Halbbrückenmodule XHP™ 2 CoolSiC™ von Infineon Technologies sind für Applikationen mit 1,7 kV bis 3,3 kV ausgelegt und verfügen über drei AC-Anschlüsse und vier DC-Anschlüsse. Die Bauteile dienen der Maximierung der Strombelastbarkeit. Dank der einfachen Skalierbarkeit der Frame-Größe der Bauteile XHP 2, die auf dem grundlegenden modularen Konzepts basiert, sind diese Module für zukünftige Chipgenerationen und schnell schaltende Bauteile geeignet und ermöglichen geringe Verluste. Diese Module bieten niedrige Schaltverluste und eine hohe Stromdichte, die durch ein Design mit geringer Induktivität ermöglicht wird. Mechanisch bieten die Module eine hohe Leistungsdichte in einem Gehäuse mit einem vergleichenden Tracking-Index (CTI) von mehr als 600, wodurch hohe Kriech- und Luftstrecken gewährleistet werden. Eine AlSiC-Basisplatte verbessert die Fähigkeiten im thermischen Zyklus, wodurch diese Module ideal für anspruchsvolle Applikationen geeignet sind.