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FD400R12KE3_B5

Infineon Technologies

Mouser-Nr.:

641-FD400R12KE3_B5

Herst.- Nr.:

FD400R12KE3_B5

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBT-Module IGBT Module

Datenblatt:

FD400R12KE3_B5 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBT-Module
RoHS:
Produkt:	IGBT Modules
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.7 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	580 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	400 nA
Pd - Verlustleistung:	2 kW
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Produkt-Typ:	IGBT Modules
Serie:	IGBT3 - E3
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	IGBTs
Technologie:	Si
Artikel # Aliases:	SP000092010 FD400R12KE3B5HOSA1
Gewicht pro Stück:	340 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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