Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

DF200R12KE3

Name: Infineon DF200R12KE3
Brand: Infineon Technologies
SKU: 641-DF200R12KE3
Price: 92.4 EUR
Availability: InStock

Mouser-Nr.:

641-DF200R12KE3

Herst.- Nr.:

DF200R12KE3

Herst.:

Infineon Technologies

Datenblatt:

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Lagerbestand:: 52 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 12 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	92,40 €	92,40 €
	80,55 €	805,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBT-Module
RoHS:
Produkt:	IGBT Silicon Modules
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.7 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	200 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	400 nA
Pd - Verlustleistung:	1.04 kW
Verpackung/Gehäuse:	IS5a ( 62 mm )-5
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	20 V
Montageart:	Screw Mount
Produkt-Typ:	IGBT Modules
Serie:	IGBT3 - E3
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	IGBTs
Technologie:	Si
Artikel # Aliases:	SP000100741 DF200R12KE3HOSA1
Gewicht pro Stück:	340 g