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CY15B004Q-SXE

Name: Infineon CY15B004Q-SXE
Brand: Infineon Technologies
SKU: 727-CY15B004Q-SXE
Price: 1.93 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

727-CY15B004Q-SXE

Herst.- Nr.:

CY15B004Q-SXE

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

F-RAM F-RAM Memory Serial

Datenblatt:

CY15B004Q-SXE Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	1,76 €	17,60 €
	1,75 €	175,00 €
	1,73 €	432,50 €
	1,44 €	720,00 €
	1,23 €	1.193,10 €
	1,09 €	3.171,90 €

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	F-RAM
RoHS:
Speichergröße:	4 kbit
Schnittstellen-Typ:	SPI
Maximale Taktfrequenz:	10 MHz, 16 MHz
Organisation:	512 k x 8
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Versorgungsspannung - Min.:	3 V
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	CY15B004Q
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Betriebsversorgungsspannung:	3 V to 3.6 V
Produkt-Typ:	FRAM
Verpackung ab Werk:	970
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Gewicht pro Stück:	1,300 g

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Datenblatt

CY15B004Q-SXE Datenblatt (PDF)

Statement Regarding the RoHS Compliance of Cypress Products

CNHTS:: 8542329090
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

CY15B004Q Serielle (SPI) 4-Kbit-Automotive-F-RAM

Der CY15B004Q serielle (SPI) 4-Kbit-Automotive-F-RAM von Cypress Semiconductor ist ein nichtflüchtiger Speicher, der ein fortschrittliches ferroelektrisches Verfahren verwendet. Der ferroelektrische Random-Access-Speicher oder F-RAM ist nichtflüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge, die mit einem RAM vergleichbar sind, durch. Der CY15B004Q bietet eine zuverlässige Datenhaltung für 121 Jahre und beseitigt gleichzeitig Komplexitäten, Gemeinkosten und Probleme auf Systemebene, die durch einen seriellen Flash, EEPROM und weiteren nichtflüchtigen Speichern hervorgerufen werden.