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BSC010N04LSATMA1

Name: Infineon BSC010N04LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSC010N04LSATMA1
Price: 2.02 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-BSC010N04LSATMA1

Herst.- Nr.:

BSC010N04LSATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

Datenblatt:

BSC010N04LSATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2,02 €	2,02 €
	1,29 €	12,90 €
	0,903 €	90,30 €
	0,718 €	359,00 €
	0,666 €	666,00 €
	0,617 €	1.542,50 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	0,597 €	2.985,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

BSC010N04LS

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

2,08 €

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TDSON-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.2 V
Qg - Gate-Ladung:	133 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	139 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	140 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	12 ns
Serie:	OptiMOS 5
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	46 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns
Artikel # Aliases:	BSC010N04LS SP000928282
Gewicht pro Stück:	100 mg

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Datenblatt

BSC010N04LSATMA1 Datenblatt (PDF)

Application Notes

Models

Simulation Tool: Simulate ONLINE - BSC010N04LS - MOSFET Comparison - 24V Clamped Inductive Load

Product Catalogs

SPICE Models

Simulation Model OptiMOS™ Power MOSFET PSpice 40V N-Channel (Zip)

Technical Resources

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 5 Leistungs-MOSFETs

Infineon OptiMOS™ 5 Leistungs-MOSFETs sind dazu konzipiert, den Anforderungen nach verbesserter Systemeffizienz bei reduzierten Systemkosten zu entsprechen. Diese Geräte weisen niedrigeren RDS(on) und Gütefaktor (RDS(on) x Qg) auf, verglichen mit alternativen Geräten. Sie wurden unter Verwendung einer neuen Siliziumtechnologie entwickelt und sind optimiert, um den Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte zu entsprechen und diese zu übertreffen. Zu den typischen Anwendungsbereichen dieser MOSFETs gehören Server, Datenkommunikation und Client-Anwendungen in der Computerbranche. Sie können außerdem in der Synchrongleichrichterschaltung bei Schaltnetzteilen(SMPS) sowie als Motorsteuerung, Mikro-Solar-Wechselrichter und schnell schaltenden DC-DC-Wandler-Anwendungen genutzt werden.
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40V OptiMOS Power MOSFETs

Infineon 40V OptiMOS Power MOSFETs feature 35% lower R_DS(on) and 45% lower Figure of Merit (R_DS(on) x Q_g) compared to alternative devices. These devices are optimized for synchronous rectification in switched-mode power supplies (SMPS) as well as a broad range of industrial applications such as motor control, solar microinverters, and fast switching DC/DC converters. In addition, this new generation of 40V devices offers higher switching frequencies and is enabled, which results in even higher power density. A monolithic integrated Schottky-like diode in the 40V SuperSO8 package (5mm x 6mm) leads to higher efficiency and a drastic reduction of the voltage overshoot. This in turn reduces the need for a snubber circuit and saves engineering effort.

USB-C-Ladegeräte und -Adapter

Infineon Technologies bietet maßgeschneiderte Halbleiter, welche die Prioritäten der Kunden berücksichtigen — Preis/Leistung vs. (extrem) hohe Leistungsdichte. Das Portfolio umfasst die gesamte USB-C™ -Quellen-Produktkette, die von HV-/LV-Leistungsschaltern bis zu PWM-Controllern, USB-C-Controllern für die Stromversorgung sowie ESD-Schutzbauteilen reicht.