IXTN32P60P

Name: IXYS IXTN32P60P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTN32P60P
Price: 25.16 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTN32P60P

Herst.- Nr.:

IXTN32P60P

Herst.:

IXYS

Datenblatt:

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	32 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	350 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	890 W
Serie:	IXTN32P60
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	33 ns
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	27 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	Polar Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	95 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	37 ns
Vr - Sperrspannung:	100 V
Gewicht pro Stück:	30 g