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IXGF32N170

Name: IXYS IXGF32N170
Brand: IXYS
SKU: 747-IXGF32N170
Price: 22.54 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXGF32N170

Herst.- Nr.:

IXGF32N170

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

IGBTs 26 Amps 1700V 3.5 V Rds

Datenblatt:

IXGF32N170 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	ISOPLUS i4-PAC-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.7 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	3.5 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	44 A
Pd - Verlustleistung:	200 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	IXGF32N170
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Kollektorgleichstrom Ic max.:	200 A
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	25
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

IXGF32N170 Datenblatt

PCN

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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