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IXFX100N65X2

Name: IXYS IXFX100N65X2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFX100N65X2
Price: 16.4 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFX100N65X2

Herst.- Nr.:

IXFX100N65X2

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2

Datenblatt:

IXFX100N65X2 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	30 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.7 V
Qg - Gate-Ladung:	180 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.04 kW
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	7 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	40 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	24 ns
Serie:	650V Ultra Junction X2
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	83 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	59 ns
Gewicht pro Stück:	6 g

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IXFX100N65X2 Datenblatt

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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