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IXFR32N100Q3

Name: IXYS IXFR32N100Q3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFR32N100Q3
Price: 30.94 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFR32N100Q3

Herst.- Nr.:

IXFR32N100Q3

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/23A

Datenblatt:

IXFR32N100Q3 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	23 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	350 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	195 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	570 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	300 ns
Serie:	IXFR32N100
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	6 g

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IXFR32N100Q3 Datenblatt

PCN

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TARIC:: 8541900000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

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