GS8161Z18DGD-200IV

Name: GSI Technology GS8161Z18DGD-200IV
Brand: GSI Technology
SKU: 464-8161Z18DGD200IV
Price: 39.68 EUR
Availability: OutOfStock

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Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

464-8161Z18DGD200IV

Herst.- Nr.:

GS8161Z18DGD-200IV

Herst.:

GSI Technology

Beschreibung:

SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M

Datenblatt:

GS8161Z18DGD-200IV Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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504	Kostenvoranschlag

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Hersteller:	GSI Technology
Produktkategorie:	SRAM
RoHS:
Speichergröße:	18 Mbit
Organisation:	1 M x 18
Zugangszeit:	6.5 ns
Maximale Taktfrequenz:	200 MHz
Schnittstellen-Typ:	Parallel
Versorgungsspannung - Max.:	2.7 V
Versorgungsspannung - Min.:	1.7 V
Versorgungsstrom - Max.:	210 mA, 215 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	BGA-165
Verpackung:	Tray
Marke:	GSI Technology
Speichertyp:	SDR
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	SRAM
Serie:	GS8161Z18DGD
Verpackung ab Werk:	18
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Handelsname:	NBT SRAM
Typ:	NBT

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Datenblatt

GS8161Z18DGD-200IV Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8542324500
CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320041
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 854232029
KRHTS:: 8542321020
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: 3A991.b.2.b

NBT SRAMs

GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that utilize all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock.