GS8160E36DGT-200V

GSI Technology
464-GS8160E36DGT200V
GS8160E36DGT-200V

Herst.:

Beschreibung:
SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M

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GSI Technology
Produktkategorie: SRAM
RoHS:  
18 Mbit
512 k x 36
6.5 ns
200 MHz
Parallel
2.7 V
1.7 V
205 mA, 210 mA
0 C
+ 85 C
SMD/SMT
TQFP-100
Tray
Marke: GSI Technology
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: Not Available
Speichertyp: SDR
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: SRAM
Serie: GS8160E36DGT
Verpackung ab Werk: 18
Unterkategorie: Memory & Data Storage
Handelsname: SyncBurst
Typ: DCD Synchronous Burst
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8542324500
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320041
JPHTS:
854232029
KRHTS:
8542321020
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.2.b

SyncBurst SRAMs

Die SyncBurst SRAMs von GSI Technology gehören zu einem umfassenden Portfolio synchroner Burst-SRAMs (SyncBurst™) mit hoher Taktrate und geringer Leistungsaufnahme. SyncBurst SRAMs liefern einen „Burst“ von (typischerweise) 2 bis 4 Wörtern pro Taktsignal. Die vereinfachte Schnittstelle des Gerätes ist für die Nutzung der maximalen Bandbreite des Datenbus designt. SyncBurst SRAMs werden in Militär-, Netzwerk-, Industrie-, Automobil- und medizinischen Bildgebungsapplikationen verwendet, die eine mittlere Leistung voraussetzen.
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