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DI2A2N100D1K

Name: Diotec Semiconductor DI2A2N100D1K
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI2A2N100D1K
Price: 1.87 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

637-DI2A2N100D1K

Herst.- Nr.:

DI2A2N100D1K

Herst.:

Diotec Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

DI2A2N100D1K Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	1,45 €	14,50 €
	0,869 €	86,90 €
	0,86 €	430,00 €
	0,84 €	840,00 €
	0,742 €	1.855,00 €
	0,698 €	3.490,00 €
	0,602 €	6.020,00 €
25.000	Kostenvoranschlag

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diotec Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252AA-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	2.2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	6.8 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	25 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	30 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Diotec Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	44 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	14 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	92 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	36 ns

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.