ZTX415

Diodes Incorporated
522-ZTX415
ZTX415

Herst.:

Beschreibung:
Bipolartransistoren - BJT NPN Avalanche

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Diodes Incorporated
Produktkategorie: Bipolartransistoren - BJT
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-92-3
NPN
Single
500 mA
100 V
260 V
6 V
500 mV
680 mW
40 MHz
- 55 C
+ 150 C
ZTX415
Bulk
Marke: Diodes Incorporated
Kollektorgleichstrom: 500 mA
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min: 25 at 10 mA, 10 V
DC Stromverstärkung hFE max.: 25 at 10 mA, 10 V
Produkt-Typ: BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk: 4000
Unterkategorie: Transistors
Gewicht pro Stück: 453,600 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99