F1C1-201610-R33M

F1C1 Abgeschirmte Hochleistungs-SMD-Induktivitäten

Signal Transformer/Bel  F1C1 Abgeschirmte Hochleistungs-SMD-Induktivitäten bieten einen Induktivitätsbereich von 0,10 µH bis 10µH, einen maximalen Nennstrom von 12 Arms und einen Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +125°C. Diese F1C1 Induktivitäten verfügen über eine einzigartige T-Core-Struktur für das magnetische Element, das aus einem Eisenpulverlegierungsmaterial besteht, beide erhöhen den Wirkungsgrad. Die Induktivitäten sind wichtige Komponenten in Spannungsregler-Topologien und praktisch jeder Stromkreis, der die Leistung in elektronischen Wechselrichtern, Fahrzeugen und Wandlern regelt, erfordert eine Induktivität. Die magnetische Abschirmung reduziert elektromagnetische Störungen (EMI) und gleicht gleichzeitig eine kleine Größe mit niedrigem DC-Widerstand (DCR) und hohem Nennstrom aus. Die F1C1 abgeschirmten Hochleistungs-SMD-Induktivitäten von Bel  eignen sich für DC/DC-Wandler, Handys, LCDs und VRM/PPM für den Einsatz in Servern.