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AS4C4M16D1A-5TCNTR

Name: Alliance Memory AS4C4M16D1A-5TCNTR
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-4C4M16D1A-5TCNTR
Price: 2.18 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

913-4C4M16D1A-5TCNTR

Herst.- Nr.:

AS4C4M16D1A-5TCNTR

Herst.:

Alliance Memory

Beschreibung:

DRAM DDR1, 64Mb, 4M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp(A), T&R

Datenblatt:

AS4C4M16D1A-5TCNTR Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Herst. Teilenr.:

AS4C4M16D1A-5TCN

Verpackung:

Tray

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Auf Lager

Preis:

3,40 €

Min:

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Hersteller:	Alliance Memory
Produktkategorie:	DRAM
RoHS:
Typ:	SDRAM - DDR
Speichergröße:	64 Mbit
Datenbus-Weite:	16 bit
Maximale Taktfrequenz:	200 MHz
Verpackung/Gehäuse:	TSOP-II-66
Organisation:	4 M x 16
Zugangszeit:	700 ps
Versorgungsspannung - Min.:	2.3 V
Versorgungsspannung - Max.:	2.7 V
Minimale Betriebstemperatur:	0 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 70 C
Serie:	AS4C4M16D1A
Verpackung:	Reel
Marke:	Alliance Memory
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	DRAM
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.:	60 mA

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Datenblatt

AS4C4M16D1A-5TCNTR Datenblatt (PDF)

REACH Declaration (PDF)

USHTS:: 8542320002
JPHTS:: 854232021
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

DDR1 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR1 Synchronous DRAM is a high-speed CMOS double data rate synchronous DRAM. It is internally configured with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CK). Data outputs occur at both rising edges of CK and CK. Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented. The Accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command which is then followed by a Read or Write command.