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IRFU5305PBF

Name: Infineon IRFU5305PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRFU5305PBF
Price: 1.78 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

942-IRFU5305PBF

Herst.- Nr.:

IRFU5305PBF

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs MOSFT P-Ch -55V -28A 65mOhm 42nC

Datenblatt:

IRFU5305PBF Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-251-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	55 V
Id - Drain-Gleichstrom:	31 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	65 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	42 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	110 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	63 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	8 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	66 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	39 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	14 ns
Gewicht pro Stück:	340 mg

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Application Notes

Product Catalogs

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Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Malaysia

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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IRFU5305PBF

Herst.: Infineon Technologies

Beschreibung: MOSFETs MOSFT P-Ch -55V -28A 65mOhm 42nC

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