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SI2301BDS-T1-GE3

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

781-SI2301BDS-GE3

Herst.- Nr.:

SI2301BDS-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs 20V 2.4A 0.9W 100mohm @ 4.5V

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

SI2301BDS-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Versandmeldung:

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Verfügbarkeit

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Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-23-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2.2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	100 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	950 mV
Qg - Gate-Ladung:	4.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	700 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	20 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	40 ns
Serie:	SI2
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	30 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	20 ns
Artikel # Aliases:	SI2301BDS-T1-BE3 SI2301BDS-GE3
Gewicht pro Stück:	8 mg

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
The BE3 suffix version of this part number is the exact form, fit, and 
function of this part number.  The only difference is the country of 
origin. The BE3 suffix part number typically has a shorter lead-time 
if not already in stock at Mouser. 
Please contact a Mouser Technical Service Representative for 
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5-0321-7