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PMV20ENR

Name: Nexperia PMV20ENR
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMV20ENR
Price: 0.32 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PMV20ENR

Herst.- Nr.:

PMV20ENR

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFET PMV20EN/SOT23/TO-236AB

Datenblatt:

PMV20ENR Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,326 €	0,33 €
	0,268 €	2,68 €
	0,137 €	13,70 €
	0,103 €	103,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,087 €	261,00 €
	0,082 €	738,00 €
	0,075 €	1.800,00 €
	0,073 €	3.285,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Technische Daten

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFET
RoHS:	Details
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-23-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	7.6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	21 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	7.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8 ns
Produkt-Typ:	MOSFET
Anstiegszeit:	17 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	MOSFETs
Transistorart:	1 N-Channel Trench MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	9 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns
Artikel # Aliases:	934068497215
Gewicht pro Stück:	8 mg

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Produktkonformität

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Nexperia PMV Small Signal N-channel Trench MOSFETs are N-channel enhancement mode Field-Effect Transistors (FET), each in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. They employ Trench MOSFET technology and offer a low threshold voltage and very fast switching. The PMV22EN MOSFET also offers logic-level compatibility. These MOSFETs are ideal for such applications as relay drivers, high-speed line drivers, low-side loadswitches, and switching circuits.

SOT23-Gehäuseprodukte zur Oberflächenmontage

Nexperia SOT23-Gehäuseprodukte zur Oberflächenmontage sind in einem Kunststoffgehäuse mit drei Anschlüssen von 2,9 mm x 1,3 mm x 1 mm und einem Rastermaß von 1,9 mm untergebracht. Dieses Grundgehäuse für Halbleiter wurde 1969 eingeführt und wurde schnell zu einem Industriestandard. Das SOT23 umschließt eine große Auswahl von Dioden, Bipolartransistoren, MOSFETs und ESD-Schutzbauteilen aus dem Portfolio von Nexperia. Das SOT23-Gehäuse ist seit 50 Jahren eine Konstante und hat mehrere Nachkommen hervorgebracht, wie z. B. das SOT223 und SOT323.

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