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TTA1943(Q)

Name: Toshiba TTA1943(Q)
Brand: Toshiba
SKU: 757-TTA1943Q
Price: 2.88 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TTA1943Q

Herst.- Nr.:

TTA1943(Q)

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT PNP 150W -15A 80 HFE -3V -230V

Datenblatt:

TTA1943(Q) Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	1,15 €	115,00 €
	1,06 €	530,00 €
	0,998 €	998,00 €
	0,993 €	2.482,50 €

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Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	2-21F1A-3
Transistorpolung:	PNP
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	15 A
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	230 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	230 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	5 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	3 V
Pd - Verlustleistung:	150 W
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	30 MHz
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	TTA1943
Verpackung:	Tray
Marke:	Toshiba
Kollektorgleichstrom:	- 15 A
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	JP
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	80
DC Stromverstärkung hFE max.:	160
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	100
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	5,500 g

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Datenblatt

TTA1943(Q) Datenblatt (PDF)

Application Notes

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Data

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Bipolar Transistors

Toshiba Bipolar Transistors are pre-biased transistors designed for low noise and low saturation voltage applications. These bipolar transistors are AEC-Q101 qualified and offer PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP, and NPN + PNP polarities for operation. These transistors are available in 25MHz, 30MHz, 35MHz, 55MHz, 100MHz, 120MHz, 200MHz, and 300MHz transition frequency with 3 pin, 5pin, 6pin, and 8pin variants.