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2SA1943-O(Q)

Name: Toshiba 2SA1943-O(Q)
Brand: Toshiba
SKU: 757-2SA1943-O(Q)
Price: 6.65 EUR
Availability: Discontinued

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-2SA1943-O(Q)

Herst.- Nr.:

2SA1943-O(Q)

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT PNP 230V 15A

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

2SA1943-O(Q) Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-3P-3
Transistorpolung:	PNP
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	15 A
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	230 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	230 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	5 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.5 V
Pd - Verlustleistung:	150 W
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	30 MHz
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	2SA
Verpackung:	Tray
Marke:	Toshiba
Kollektorgleichstrom:	- 15 A
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	55
DC Stromverstärkung hFE max.:	160
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	100
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	6,756 g

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Datenblatt

2SA1943-O(Q) Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Japan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Japan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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	2,56 €	2.560,00 €

2SA1943-O(Q)

Herst.: Toshiba

Beschreibung: Bipolartransistoren - BJT PNP 230V 15A

Technische Daten

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Umweltunterlagen

Produkt- und Handelskonformität

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