2SA1943-O(Q)

Toshiba
757-2SA1943-O(Q)
2SA1943-O(Q)

Herst.:

Beschreibung:
Bipolartransistoren - BJT PNP 230V 15A

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Toshiba
Produktkategorie: Bipolartransistoren - BJT
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-3P-3
PNP
Single
15 A
230 V
230 V
5 V
1.5 V
150 W
30 MHz
+ 150 C
2SA
Tray
Marke: Toshiba
Kollektorgleichstrom: - 15 A
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min: 55
DC Stromverstärkung hFE max.: 160
Produkt-Typ: BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk: 100
Unterkategorie: Transistors
Gewicht pro Stück: 6,756 g
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TARIC:
8541290000
CNHTS:
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ECCN:
EAR99

Bipolar Transistors

Toshiba Bipolar Transistors are pre-biased transistors designed for low noise and low saturation voltage applications. These bipolar transistors are AEC-Q101 qualified and offer PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP, and NPN + PNP polarities for operation. These transistors are available in 25MHz, 30MHz, 35MHz, 55MHz, 100MHz, 120MHz, 200MHz, and 300MHz transition frequency with 3 pin, 5pin, 6pin, and 8pin variants.