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BSS138N H6327

Name: Infineon BSS138N H6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSS138NH6327
Price: 0.29 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-BSS138NH6327

Herst.- Nr.:

BSS138N H6327

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

Datenblatt:

BSS138N H6327 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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-,-- €

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,292 €	0,29 €
	0,202 €	2,02 €
	0,128 €	12,80 €
	0,081 €	40,50 €
	0,071 €	71,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,052 €	156,00 €
	0,045 €	270,00 €
	0,04 €	360,00 €
	0,036 €	864,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

SP000919330

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

0,29 €

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-23-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	230 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.2 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	1 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	360 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q100
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8.2 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	100 mS
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	3 ns
Serie:	BSS138
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	6.7 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	2.3 ns
Artikel # Aliases:	BSS138NH6327XT SP000919330 BSS138NH6327XTSA2
Gewicht pro Stück:	8 mg

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
Printable assembly instructions are available on this part page on 
Mouser.com

Please contact a Mouser Technical Sales Representative for further 
information.

5-0222-5

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Datenblatt

BSS138N H6327 Datenblatt (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Österreich

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Kleinsignal-Leistungs-MOSFETs

Infineon Kleinsignal-Leistungs-MOSFETs sind in 7 branchenüblichen Gehäusetypen erhältlich, die vom größten SOT-223 bis zum kleinsten SOT-363, das nur 2,1mm x 2mm x 0,9mm misst, reichen. Sie werden als Einzel-, Dual- und ergänzende Konfigurationen angeboten. Sie sind als n-Kanal, p-Kanal oder ergänzend (sowohl p-Kanal als auch n-Kanal im selben Gehäuse) erhältlich, um einer Vielzahl von Konstruktionsanforderungen zu genügen. Typische Anwendungen für diese Geräte umfassen Batterieschutz, LED-Beleuchtung, Niederspannungsantriebe und DC-DC-Wandler. Jeder der Kleinsignal-Leistungs-MOSFETs ist gemäß AEC Q101 für die Automobilindustrie qualifiziert.
Weitere Informationen

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.