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IPD50N08S4-13

Name: Infineon IPD50N08S4-13
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD50N08S4-13
Price: 1.51 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPD50N08S4-13

Herst.- Nr.:

IPD50N08S4-13

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs N-CHANNEL 75/80V

Datenblatt:

IPD50N08S4-13 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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-,-- €

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,51 €	1,51 €
	0,963 €	9,63 €
	0,641 €	64,10 €
	0,525 €	262,50 €
	0,476 €	476,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0,403 €	1.007,50 €
	0,389 €	1.945,00 €
	0,38 €	9.500,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

IPD50N08S413ATMA1

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

1,47 €

Min:

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Herst.:

Infineon Technologies

Herst.- Nr.:

IPD50N08S413ATMA1

Beschreibung:

MOSFETs N-CHANNEL 75/80V

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	50 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	11.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	30 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	72 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	11.8 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	3.6 ns
Serie:	XPD50N08
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	6.4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5 ns
Artikel # Aliases:	SP000988948 IPD50N08S413ATMA1
Gewicht pro Stück:	330 mg

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Datenblatt

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KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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Infineon Technologies 75 V bis 100 V n-Kanal-Automotive-MOSFETs sind AEC-Q101-qualifiziert für Automotive-Applikationen und in einer großen Auswahl an Gehäusetypen verfügbar, einschließlich D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) und SSO8 (TDSON-8). Diese MOSFETs eignen sich hervorragend für Kraftstoffeinspritzsysteme, kabellose Fahrzeugladeapplikationen und das C0₂ emissionsreduzierende 48 V Leistungssubsystem, das als Board Net bekannt ist.