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FF900R12ME7PB11BPSA1

Name: Infineon FF900R12ME7PB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FF900R12ME7PB11B
Price: 224.05 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-FF900R12ME7PB11B

Herst.- Nr.:

FF900R12ME7PB11BPSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBT-Module 1200 V, 900 A dual IGBT module

Datenblatt:

FF900R12ME7PB11BPSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBT-Module
Produkt:	IGBT Silicon Modules
Konfiguration:	Dual
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.5 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	900 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Produkt-Typ:	IGBT Modules
Serie:	Trenchstop IGBT7
Verpackung ab Werk:	6
Unterkategorie:	IGBTs
Technologie:	Si
Handelsname:	TRENCHSTOP ~ EconoDUAL
Artikel # Aliases:	FF900R12ME7P_B11 SP005349909

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Datenblatt

FF900R12ME7PB11BPSA1 Datenblatt (PDF)

Product Catalogs

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

TRENCHSTOP™ IGBT7 Diskrete Bauteile und Module

Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7 diskrete Bauteile und Module sind für Antriebe mit variabler Geschwindigkeit ausgelegt. 20 % Energie oder 17 Millionen Tonnen CO₂ können eingespart werden, wenn nur die Hälfte aller Industrieantriebe über eine elektrische Geschwindigkeitsregelung verfügen würde. Infineon ermöglicht diese Umstellung mit der TRENCHSTOP IGBT7-Technologie.

EasyPIM™ IGBT-Modul

Das Infineon Technologies EasyPIM™ IGBT-Modul ist ein Dreiphasen-Eingangsgleichrichter-PIM-IGBT-Modul mit TRENCHSTOP™ IGBT7 Emitter-gesteuerter Diode und NTC-/PressFIT-Technologie. Dieses Modul zeichnet sich durch eine verbesserte Steuerbarkeit von dv/dt, eine verbesserte FWD-Nachgiebigkeit, optimierte Schaltverluste und eine Kurzschlussfestigkeit von 8 µs aus. Das EasyPIM (Leistungs-integriertes Modul) ist sehr klein und ermöglicht dadurch eine höhere Leistungsdichte. Zur Erfüllung der Energieeffizienzanforderungen reduziert dieses Modul die Systemkosten und -verluste. Zu den typischen Applikationen gehören Umrichter, Klimaanlagen, Servomotoren und Heizung, Lüftung und Klima (HLK).

1.200-V-Dual-IGBT-Module

Die Infineon 1.200 V Dual-IGBT-Module sind EconoDUAL™ 3 1.200 V, 900 A Dual-TRENCHSTOP™ IGBT7-Module mit emittergesteuerter 7 Diode, NTC und PressFIT-Kontakttechnologie. Die IGBT-Module bieten einen höheren Wechselrichter-Ausgangsstrom für die gleiche Rahmengröße und Vermeidung von Parallelschaltung. Die 1.200-V-Dual-IGBT-Module von Infineon bieten eine einfache und zuverlässige Montage mit einer hohen Zuverlässigkeit der Verbindungen.

EconoDUAL™ 3-Econo-Leistungsmodule

Infineon Technologies EconoDUAL™ 3-Econo-Leistungsmodule unterstützen Strombereiche von 100 A bis zu 600 A bei 600 V/650 V/1.200 V und 1.700 V. Das EconoDUAL 3 verfügt über eine ausgezeichnete mechanische Robustheit bzw. Leistungszyklenfestigkeit und die Option von PressFIT-Pins. Durch die Verfügbarkeit von TIM sind diese Leistungsmodule eine zuverlässige und kostengünstige Lösung für Antriebs-, CAV-, Windturbinen-, Solar- und Hybrid-Fahrzeug-Applikationen. EconoDUAL™ 3-Module sind in Dreistufen-, Halbbrücken-, H-Brücken und Chopper-Topologien für effiziente Wechselrichter-Designs verfügbar.

IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual-Konfigurationsmodule

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual-Konfigurationsmodule basieren auf der Mikromuster-Trench-Technologie, die Verluste reduziert und eine hohe Steuerbarkeit bietet. Das Zellkonzept zeichnet sich durch die Implementierung paralleler Trenchzellen aus, die im Gegensatz zu quadratischen Trench-Zellen durch Sub-Mikron-Mesas getrennt sind. Ein speziell optimierter Chip für industrielle Antriebsapplikationen und Solarenergiesysteme bietet geringe statische Verluste, eine hohe Leistungsdichte und ein sanftes Schalten. Mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175°C ermöglichen die Module eine deutliche Erhöhung der Leistungsdichte.