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FGA6560WDF

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FGA6560WDF

Herst.- Nr.:

FGA6560WDF

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

IGBTs IGBT, 650 V, 60 A Field Stop Trench

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

FGA6560WDF Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Versandmeldung:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	IGBTs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-3PN
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.8 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	120 A
Pd - Verlustleistung:	306 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	FGA6560WDF
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Kollektorgleichstrom Ic max.:	120 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	400 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	450
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	6,401 g

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Datenblatt

FGA6560WDF Datenblatt (PDF)

EOL

Product Discontinuance Notification (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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